实验一 光电导衰退测量少数载流子的寿命
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实验二 光电导衰退测量少数载流子的寿命
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高频光电导衰减法测量Si中少子寿命
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实验三-霍尔效应法测量半导体的载流子浓度、-电导率和迁移
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实验四 霍尔效应法测量半导体的载流子浓度、电导率和迁移
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1.3 非平衡少数载流子寿命的测量
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